III-V 族半导体InAs表面的STM原子操纵研究 主持 国家自然科学基金项目
磁纳米异质结构的非易失性和可编程自旋逻辑器件 骨干成员 科技部项目
1. 中国发明专利:一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨烯的方法,CN101451269B (第二完成人)
2. US Patent: METHOD FOR PREPARING SILICON INTERCALATED MONOLAYER GRAPHENE Pub. No.: US 2011/0086756 A1 (第二完成人)
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