III-V 族半导体InAs表面的STM原子操纵研究  主持  国家自然科学基金项目

磁纳米异质结构的非易失性和可编程自旋逻辑器件  骨干成员 科技部项目

1. 中国发明专利：一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨烯的方法，CN101451269B  （第二完成人）

2. US Patent:  METHOD FOR PREPARING SILICON INTERCALATED MONOLAYER GRAPHENE   Pub. No.: US 2011/0086756 A1 （第二完成人）