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  • 姓名:李晓波
  • 性别:
  • 民族:
  • 手机:xbli@xidian.edu.cn
  • 邮箱:xbli@xidian.edu.cn
  • 学历: 博士及以上
  • 政治面貌:中共党员
  • 出生年月:1992-10
  • 专业领域:低维原子晶体材料的可控制备及其光电功能器件
  • 工作单位:西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院
  • 现任职务:西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院副教授
  • 技术职称:副教授
  • 地址:先进材料与纳米科技学院G618

主要研究方向和研究成果:

研究方向:围绕低晶格对称二维材料二硫化铼的可控制备和光电性质开展了系统研究。首先针对该材料制备困难的问题,先后发展出碲辅助和空间限域外延生长方法实现了大面积单层二硫化铼的制备;随后研究了二硫化铼由铼链翻转产生的晶界问题,提出了“纳米自组装生长”模式,揭示了此类低对称二维材料的生长机制;在此基础上,探究了不同晶面指数金表面二硫化铼的生长行为,实现了单晶二硫化铼的取向控制生长。

研究成果:1.      基于增大石墨烯光电导增益的想法,构筑了高响应、栅压可调的石墨烯-二硫化钼杂化光电探测器。 通过将强光吸收的二硫化钼和高载流子迁移率的石墨烯结合,两种材料优劣互补,实现了“1 + 1 > 2”效应。

2. 针对低对称材料二硫化铼的制备中存在的铼前驱体挥发温度过高的问题,发展出二元低共熔体辅助外延生长方法,有效降低了铼的熔点,实现了大面积单层二硫化铼的高效制备。

3. 针对二硫化铼前驱体挥发不可控导致的亚稳态生长问题,发展出空间限域外延生长法,将二硫化铼的生长限制在基底的近表面层,实现了二硫化铼的稳态生长。

4. 采用偏振光学成像和偏振拉曼成像技术,首次发现了CVD生长所得二硫化铼中的子晶畴和晶界现象,结合高分辨电镜和理论计算揭示了二硫化铼独特的“纳米自组装生长”机制。

5.系统研究了不同晶面指数金表面二硫化铼的生长行为,在(110)金晶面实现了单晶二硫化铼的取向控制生长,理论计算显示Au-ReS2强的界面耦合和金基底对称性的降低是实现取向控制生长的关键,该工作为取向控制生长其它低晶格对称二维材料提供了重要参考。


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