研究方向：1 氮化物半导体材料的生长技术；

2 GaN基深紫外LED材料与器件；

3 新型GaN基异质结材料技术。

研究成果：（1）GaN基紫光LED方面：提出了采用原位AlN基板的GaN外延生长方法，生长出了高质量的GaN外延材料，外延材料的高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽在（002）和（102）面分别低至70弧秒和354弧秒，结果处于国际领先水平；针对氮化物p型掺杂难的问题，提出并采用p型的超晶格掺杂方法实现了p型的高质量掺杂，其p型材料电阻率仅为0.034Ω•cm；制备出高亮度的GaN基紫光LED，紫光LED技术已转移至相关企业进行产业化实施。

（2）AlGaN基深紫外LED方面：针对蓝宝石衬底上高质量AlN外延材料难于制备的技术问题，在自主设计制造的MOCVD设备上提出并采用了连续MO源、脉冲氨气的脉冲式生长方法，生长出了高结晶质量的AlN外延材料，外延材料的高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽在（002）和（102）面分别低至36弧秒和232弧秒，材料指标国际领先；提出一种生长不同Al组分AlGaN材料的方法，生长出Al组分从0到1的高质量AlGaN材料；通过工艺的改进及优化，实现了p型AlGaN材料的高质量掺杂；制备出发光波长在300nm量子阱结构，成功制备出深紫外LED管芯。

(3)非极性GaN材料方面：针对非极性GaN材料质量一直难以提高的问题，创新性地提出用脉冲生长方法制备的AlN基板结合多个超晶格结构的方法使得非极性GaN材料的生长质量得以大幅提高，材料的半高宽由原来的1300弧秒降低至417弧秒，材料质量处于国际领先。

(4)AlInN/GaN异质结材料方面：提出并采用Al、In源分时段通入反应室的脉冲式MOCVD生长方法生长AlInN，解决了In在生长时存在掺入量与材料质量之间的矛盾；在蓝宝石衬底上制备出高质AlInN/GaN异质结，其迁移率1400 cm2/vs,二维电子气密度达1.96E+13/cm2，指标处于国际领先水平。