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  • 姓名:周小伟
  • 性别:
  • 民族:
  • 手机:18092661260
  • 邮箱:xwzhou@mail.xidian.edu.cn
  • 学历: 博士及以上
  • 政治面貌:
  • 出生年月:1980-9
  • 专业领域:氮化物半导体材料和器件的研究
  • 工作单位:西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院
  • 现任职务:西安电子科技大学副教授
  • 技术职称:副教授
  • 地址:西安电子科技大学南校区G141

主要研究方向和研究成果:

研究方向:1 氮化物半导体材料的生长技术;

2 GaN基深紫外LED材料与器件;

3 新型GaN基异质结材料技术。

研究成果:(1)GaN基紫光LED方面:提出了采用原位AlN基板的GaN外延生长方法,生长出了高质量的GaN外延材料,外延材料的高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽在(002)和(102)面分别低至70弧秒和354弧秒,结果处于国际领先水平;针对氮化物p型掺杂难的问题,提出并采用p型的超晶格掺杂方法实现了p型的高质量掺杂,其p型材料电阻率仅为0.034Ω•cm;制备出高亮度的GaN基紫光LED,紫光LED技术已转移至相关企业进行产业化实施。

(2)AlGaN基深紫外LED方面:针对蓝宝石衬底上高质量AlN外延材料难于制备的技术问题,在自主设计制造的MOCVD设备上提出并采用了连续MO源、脉冲氨气的脉冲式生长方法,生长出了高结晶质量的AlN外延材料,外延材料的高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽在(002)和(102)面分别低至36弧秒和232弧秒,材料指标国际领先;提出一种生长不同Al组分AlGaN材料的方法,生长出Al组分从0到1的高质量AlGaN材料;通过工艺的改进及优化,实现了p型AlGaN材料的高质量掺杂;制备出发光波长在300nm量子阱结构,成功制备出深紫外LED管芯。

(3)非极性GaN材料方面:针对非极性GaN材料质量一直难以提高的问题,创新性地提出用脉冲生长方法制备的AlN基板结合多个超晶格结构的方法使得非极性GaN材料的生长质量得以大幅提高,材料的半高宽由原来的1300弧秒降低至417弧秒,材料质量处于国际领先。

(4)AlInN/GaN异质结材料方面:提出并采用Al、In源分时段通入反应室的脉冲式MOCVD生长方法生长AlInN,解决了In在生长时存在掺入量与材料质量之间的矛盾;在蓝宝石衬底上制备出高质AlInN/GaN异质结,其迁移率1400 cm2/vs,二维电子气密度达1.96E+13/cm2,指标处于国际领先水平。


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